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電源半導体のパッケージ形状がスイッチング特性に与える影響を、ダブルパルステストを用いて定量的に検証する内容です。3リードのTO-247と、キルビン端子を備えた4リードのTO-247-4の動作を比較し、寄生インダクタンスがゲート駆動回路に与える影響とその低減方法を解説します。
■ パッケージ構造と動作原理
- TO-247とTO-247-4の端子構成の違い
- MOSFETの寄生容量・寄生インダクタンスの考え方
- キルビン端子による主回路電流とゲート駆動の分離
■ 実験の準備と手順
- ダブルパルステスト基板と測定系の構成
- 3リード/4リード切替方法と測定条件
- スイッチング波形とスイッチング損失の比較
■ 結果と注意点
- 両パッケージの損失比較とRogowskiコイルによる追加測定
- 4リード化に伴うリング・オーバーシュートの増加と回路設計上の考慮点
電力電子回路を設計する方や、SiC MOSFETなど高速スイッチングを扱う方に向けた内容です。寄生インダクタンスの影響、キルビン接続の利点、4リードパッケージ導入時の設計上の注意点を、実測データとともに理解できます。
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